需要在文档末尾加上:
1 | <head> |
使用的时候采用html语言:
1 | <i class="far fa-envelope"> </i> |
图标可以在这个网站上查询:
图标库v5 - FontAwesome 字体图标中文Icon
[有一些图标似乎不能被正确加载,需要修改对应的html的代码格式:1. 后面补上</i>,2.可能要把far的r删掉。好处是图标种类更多]
You should write because writing makes you a better person.
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1 | <head> |
使用的时候采用html语言:
1 | <i class="far fa-envelope"> </i> |
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工艺流程 | 备注 |
---|---|
超声清洗 | 丙酮3min,丙酮3min,异丙醇3min,去离子水1min,吹干 |
Plasma | 刻蚀区,sccm 350, 5min |
涂胶 | 光刻胶型号:AR-P 6200.09,涂胶程序:Program 4 |
EBL(波导) | 徐剑/王伟 |
显影 | 没人的时候或者下午3点后,MIBK,75s + IPA ,轻柔一点,避免弄倒小结构。 |
(镜检)(光学显微镜)(可选) | 光刻区或者FIB的区域,带U盘 |
刻蚀(SPTS) | 付刘成,220nm硅波导刻蚀,一片过刻蚀20s,一片过刻蚀40s (考虑loading effect) |
镜检 | 光刻区或者FIB的区域,带U盘 |
Plasma | 刻蚀区,sccm 350, 5min。这里就不超声清洗了,避免弄倒小结构。有点点脏没关系,因为这一步要写光栅。 |
涂胶 | 光刻胶型号:AR-P 6200.09,涂胶程序:Program 4 |
EBL(光栅) | 徐剑/王伟;套刻 |
显影 | 没人的时候或者下午3点后,MIBK,75s + IPA ,轻柔一点,避免弄倒小结构。 |
镜检 | 光刻区或者FIB的区域,带U盘 |
刻蚀(SPTS) 70nm | 付刘成,70nm浅刻蚀 |
镜检 | 光刻区或者FIB的区域,带U盘 |
Plasma | 刻蚀区,sccm 350, 5min |
SEM | 微电子楼先上四楼,再下一楼/门开了可以走AEMD后门,带光盘 |
PECVD/ICPCVD | 付刘成,1μm氧化硅沉积 |
测试 | 光栅耦合平台测试 |
1 | #首先把mode expansion MONITOR命名为in_mode |