| 超声清洗 |
丙酮3min，丙酮3min，异丙醇3min，去离子水1min，吹干 |
| Plasma |
刻蚀区，sccm 350, 5min |
| 涂胶 |
光刻胶型号：AR-P 6200.09，涂胶程序：Program 4 |
| EBL(波导) |
徐剑/王伟 |
| 显影 |
没人的时候或者下午3点后，MIBK，75s + IPA ，轻柔一点，避免弄倒小结构。 |
| （镜检）（光学显微镜）（可选） |
光刻区或者FIB的区域，带U盘 |
| 刻蚀（SPTS） |
付刘成，220nm硅波导刻蚀，一片过刻蚀20s，一片过刻蚀40s (考虑loading effect) |
| 镜检 |
光刻区或者FIB的区域，带U盘 |
| Plasma |
刻蚀区，sccm 350, 5min。这里就不超声清洗了，避免弄倒小结构。有点点脏没关系，因为这一步要写光栅。 |
| 涂胶 |
光刻胶型号：AR-P 6200.09，涂胶程序：Program 4 |
| EBL（光栅） |
徐剑/王伟；套刻 |
| 显影 |
没人的时候或者下午3点后，MIBK，75s + IPA ，轻柔一点，避免弄倒小结构。 |
| 镜检 |
光刻区或者FIB的区域，带U盘 |
| 刻蚀(SPTS) 70nm |
付刘成，70nm浅刻蚀 |
| 镜检 |
光刻区或者FIB的区域，带U盘 |
| Plasma |
刻蚀区，sccm 350, 5min |
| SEM |
微电子楼先上四楼，再下一楼/门开了可以走AEMD后门，带光盘 |
| PECVD/ICPCVD |
付刘成，1μm氧化硅沉积 |
| 测试 |
光栅耦合平台测试 |